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Si7625DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.030
I D = 15 A
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.024
0.018
0.012
0.006
0.000
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.8
0.5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
60
0.2
I D = 5 mA
40
- 0.1
20
- 0.4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
10 s
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
DC
www.vishay.com
4
0.01
0.1 1 10
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
100
Document Number: 65737
S10-0638-Rev. A, 22-Mar-10
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